有關(guān)pecvd試驗報告

有關(guān)pecvd試驗報告

　　篇一：設(shè)備驗收報告——PECVD

　　設(shè) 備 驗 收 報 告

　　注：此報告一式兩份，甲方、乙方各存一份。

　　設(shè)備驗收報告附文

　　一、 驗收依據(jù)

　　1、年月日，甲、乙雙方簽訂的PDT2A-01型管式PECVD鍍膜設(shè)備購銷合同。

　　2、年月日，甲、乙雙方簽訂的PDT2A-01型管式PECVD鍍膜設(shè)備驗收細則。

　　二、 驗收項目

　　1、爐體溫度穩(wěn)定性 2、SiH4/NH3流量 3、系統(tǒng)極限壓力 4、系統(tǒng)漏氣率 5、工藝壓力 6、射頻輸出功率 7、單機產(chǎn)能 8、設(shè)備穩(wěn)定性 9、工藝效果驗證

　　三、 驗收標準、方法

　　1.

　　爐體溫度穩(wěn)定性

　　檢驗方法：將爐體恒溫區(qū)5個點的工藝溫度設(shè)為一致，范圍控制在350~500℃之間，保溫維持4小時，根據(jù)設(shè)定值與溫控表測量出的實際值相比較得出該指標。 驗收標準：5個點的溫度波動值控制在±2℃以內(nèi)

　　2、 SiH4/NH3流量

　　檢驗方法：根據(jù)設(shè)定值與操作界面顯示值相比較得出該指標。

　　驗收標準：≤±1%*總量程；SiH4流量允許偏差為±30sccm，NH3流量允許偏差為±70sccm。

　　3、 系統(tǒng)極限真空度

　　檢驗方法：工藝溫度下（推薦450℃），正常啟動抽真空流程，觀察限定時間內(nèi)（這里要求5分鐘內(nèi)）腔體真空壓力的極限值。

　　驗收標準：5分鐘內(nèi)真空壓力降到5Pa以下。

　　4、 系統(tǒng)漏氣率

　　檢驗方法：工藝溫度下（推薦450℃），將爐體內(nèi)壓力用真空泵抽至真空狀態(tài)，保壓，點擊屏幕上的“漏氣率檢測”欄，查看1分鐘、5分鐘、24小時內(nèi)系統(tǒng)的平均漏氣率。 驗收標準：3Pa/min。

　　5、

　　工藝壓力

　　檢驗方法：工藝壓力設(shè)定值和實際值之間的偏差。 驗收標準：±5Pa

　　6、 射頻輸出功率

　　檢驗方法：設(shè)備正常運行過程中，射頻電源輸出功率的波動范圍。 驗收標準：±100W

　　7、 單機產(chǎn)能

　　檢驗方法：不考慮裝卸舟操作過程，正常執(zhí)行標準工藝配方，測算10批的平均工藝節(jié)拍。 驗收標準：工藝節(jié)拍32min/批，168片/批（125mm硅片）

　　8、 設(shè)備穩(wěn)定性

　　檢驗方法：設(shè)備進入試用期，穩(wěn)定批量生產(chǎn)一周，無嚴重故障（指不發(fā)生導致生產(chǎn)過程停止的設(shè)備故障；排除人為因素）。 驗收標準：設(shè)備穩(wěn)定運行一周。

　　9、 工藝效果驗證

　　檢驗方法：正常執(zhí)行標準工藝配方，隨機抽取3批（舟），每批（舟）插入10片拋光硅片（客戶自購或自制），每片隨機測量5個點，根據(jù)150個膜厚、折射率的實測值得出均勻性指標。 片內(nèi)均勻性的計算方法為：[(Max-Min)/(Max+Min)] *100%（Max為每片5個測量值中膜厚、折射率最大值；Min為每片5個測量值中膜厚、折射率最小值）。

　　片間均勻性的計算方法為：[(Max-Min)/(Max+Min)] *100%（Max為每批10片中膜厚、折射率平均值的最大值；Min為每批10片膜厚、折射率平均值的最小值）。

　　批間均勻性的計算方法為：[(Max-Min)/(Max+Min)] *100%（Max為3批中每批膜厚、折射率平均值的最大值；Min為3批中每批膜厚、折射率平均值的最小值）。 測試手段：橢圓偏振儀，拋光硅片。 驗收標準：

　　膜厚：片內(nèi)、片間均勻性均小于±5%，批間均勻性小于±4%（以75±5nm為中心值）。 折射率：片內(nèi)、片間、批間均勻性均小于±3%（以2.05±0.05為中心值）。

　　四、 驗收結(jié)果附表

　　篇二：半導體工藝實驗報告 【交大】

　　半導體制造工藝實驗

　　姓名：章葉滿 班級：電子1001 學號：10214021

　　一、氧化

　　E3:25.1:1.

　　go athena

　　#TITLE: Oxide Profile Evolution Example

　　# Substrate mesh definition

　　line y loc=0 spac=0.05

　　line y loc=0.6 spac=0.2

　　line y loc=1

　　line x loc=-1spac=0.2

　　line x loc=-0.2 spac=0.05

　　line x loc=0 spac=0.05

　　line x loc=1 spac=0.2

　　init orient=100

　　# Anisotropic silicon etch

　　etch silicon left p1.x=-0.218 p1.y=0.3 p2.x=0 p2.y=0

　　# Pad oxide and nitride mask

　　deposit oxide thick=0.02 div=1

　　deposit nitride thick=0.1 div=1

　　etch nitride left p1.x=0

　　etch oxideleft p1.x=0

　　# Field oxidation with structure file output for movie

　　diffuse tim=90 tem=1000 weto2 dump=1 dump.prefix=anoxex01m

　　tonyplot -st anoxex01m*.str

　　structure outfile=anoxex01_0.str

　　quit

　　實驗截圖:

　　實驗分析：

　　當氧擴散穿越已生長的氧化劑時，它是在各個方向上擴散的。一些氧原子縱向擴散進入硅，另一些氧原子橫向擴散。這意味著在氮化硅掩膜下有著輕微的側(cè)面氧化生長。由于氧化層比消耗的硅更厚，所以在氮化物掩膜下的氧化生長將抬高氮化物的邊緣。這就是LOCOS氧化工藝中的“鳥嘴效應(yīng)”。這種現(xiàn)象是LOCOS氧化工藝中不受歡迎的副產(chǎn)物。氧化物較厚時，“鳥嘴效應(yīng)”更顯著。為了減小氮化物掩膜和硅之間的應(yīng)力，在它們之間熱生長一層薄氧化層—墊氧�；蛘呖梢允褂脺\槽隔離技術(shù)來代替LOCOS，這樣就可以避免“鳥嘴效應(yīng)”。

　　E3:25.1:2.

　　go athena

　　#TITLE: Mixed Ambient Oxidation Example

　　# This example demonstrates mixed ambient oxidation in 1D

　　#

　　foreach gas (2. to 8. step 2.)

　　#

　　line x loc=0.0 sp=1.0

　　line x loc=1.0 sp=1.0

　　line y loc=0.0 sp=0.05

　　line y loc=1.0 sp=0.05

　　initialize

　　#

　　diffuse time=60 temperature=1000 f.o2=gas f.h2=20.

　　structure outfile=anoxex02_gas.str

　　#

　　end

　　tonyplot -st anoxex02*.str

　　quit

　　實驗截圖

　　:

　　實驗分析：

　　實驗描述的是當氣流中通過四種不同濃度比的由氧氣、水、氫、氮構(gòu)成的混合氣體時Si氧化成SiO2的不同程度，其中參數(shù)F.O2, F.H2O, F.H2, F.N2是每個氣流中流的氧氣、水、氫、氮的擴散語句。由圖可以看出，不同的氣體比例會得到不同的氧化效果。潮濕的氧化環(huán)境水蒸氣在二氧化硅中擴散的更快、溶解度更高，更有利于硅氧化生長速率的加快。而無論是何種程度的氧化，二氧化硅的生長都是要消耗硅的，氧化生長的越多，硅消耗的越多。硅消耗的厚度占氧化物總厚度的0.46。氧化物生長發(fā)生在氧分子通過已生成的二氧化硅層運動進入硅片的過程中。

　　E3:25.1:9. go athena

　　#TITLE: Orientation dependent Oxidation Example

　　line y loc=0 spac=0.1

　　line y loc=4 spac=0.1

　　line x loc=-1 spac=0.1

　　line x loc=1 spac=0.1

　　#

　　#initialize with orientation of sidewalls along 100 direction init orient=100 rot.sub=0

　　method gridinit.ox=0.02 grid.ox=0.02

　　# Anisotropic silicon etch

　　etch silicon right p1.x=0.0 p1.y=2.0 p2.x=0.0 p2.y=0.0

　　# Field oxidation

　　diffuse time=20 tem=1000 wet

　　#

　　#

　　extract name="toxx" thickness oxide mat.occno=1 x.val=0.50 extract name="toxy" thickness oxide mat.occno=1 y.val=1.05

　　# Save the structure

　　structure outfile=anoxex09_1.str

　　line y loc=0 spac=0.1

　　line y loc=4 spac=0.1

　　line x loc=-1 spac=0.1

　　line x loc=1 spac=0.1

　　#

　　#initialize with orientation of sidewalls along 110 direction init orient=100 rot.sub=45

　　# Anisotropic silicon etch

　　etch silicon right p1.x=0.0 p1.y=2.0 p2.x=0.0 p2.y=0.0

　　# Field oxidation

　　diffuse time=20 tem=1000 wet

　　篇三：(PECVD工序長)

　　GT-人事-15